
تُعتبر ترانزستورات MOSFET عناصر أساسية في الإلكترونيات القائمة على أشباه الموصلات. يبدأ المساق بشرح مكثفات MOS وكيفية استخراج كثافة شحنة الأكسيد، وهو أمر مهم للتحكم في جهد العتبة لترانزستورات MOSFET. يستعرض المساق الخصائص الكهربائية للترانزستورات وكيفية استخدام قياسات التيار-الجهد لتحديد جهد العتبة، كما يتضمن مشروعًا يعتمد على بيانات حقيقية لاستخلاص جهد العتبة لترانزستور MOSFET بطول بوابة 40 نانومتر المصمم لتكنولوجيا الجيل الخامس (5G).
Trevor Thornton